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| PECVD二氧化硅薄膜的工艺分析 | |
| 引用本文： | 程开富.PECVD二氧化硅薄膜的工艺分析[J].半导体光电,1987(1). |
| 作者姓名： | 程开富 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
| 摘 要： | 本文主要分析等离子增强化学汽相淀积(简称PECVD)二氧化硅的生长机理。用硅烷(SiH_4)和二氧化碳(CO_2)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度。在常温至300℃下,SiH_4流量为0.5～1.0升/分,CO_2流量为1.5～1.8升/分,淀积压力为0.8～2.0托,射频功率为45～88瓦,极板间距为18～20.5毫米的条件下淀积二氧化硅膜。给出了射频功率、淀积压力、气源流量比等对淀积速率的影响以及红外光谱分析结果。 |
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