| n+多晶硅/n+SiC异质结欧姆接触 |
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| 引用本文： | 张林,张义门,张玉明,汤晓燕. n+多晶硅/n+SiC异质结欧姆接触[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 378-380 |
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| 作者姓名： | 张林 张义门 张玉明 汤晓燕 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所，教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所，教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所，教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安 710071 |
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| 摘 要： | 采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术. 模拟结果表明n+多晶硅/n+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触，具有工艺简单、性能优良的优点.
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| 关 键 词： | SiC；欧姆接触；多晶硅；异质结 |
Ohmic Contact on SiC Using n+ Polysilicon/n+ SiC Heterojunction |
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| Zhang Lin,Zhang Yimen,Zhang Yuming and Tang Xiaoyan. Ohmic Contact on SiC Using n+ Polysilicon/n+ SiC Heterojunction[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 378-380 |
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| Authors: | Zhang Lin Zhang Yimen Zhang Yuming Tang Xiaoyan |
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| Abstract: | A novel SiC ohmic contact of n+ polysilicon/n+ SiC heterojunction is simulated with the numerical simulator ISE TCAD.The simulated results show that the n+ polysilicon/n+ SiC heterojunction can form excellent ohmic contact and has the advantages of simple process and excellent performance. |
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| Keywords: | SiC ohmic contact poly-silicon heterojunction |
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