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| PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究 | |
| 引用本文： | 龚洪勇,周浪,黄海宾,向昱任,汪已琳,张东华,高江,崔冶青.PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究[J].太阳能,2013(1). |
| 作者姓名： | 龚洪勇 周浪 黄海宾 向昱任 汪已琳 张东华 高江 崔冶青 |
| 作者单位： | 南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果.分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S＜9.4cm/s的优良钝化效果；若硅片τbulk为2ms,则S＜5.6cm/s. |
| 关 键 词： | 氢化非晶硅 PECVD 钝化 太阳能级n型硅片 |
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