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| 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究 | |
| 引用本文： | 周玉荣,刘勇,刘丰珍.超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究[J].太阳能,2013(1). |
| 作者姓名： | 周玉荣 刘勇 刘丰珍 |
| 作者单位： | 中国科学院研究生院 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划;基于宽光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料的基础研究 |
| 摘 要： | 将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜.通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大.俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控溅射的功率可控制薄膜中钛的含量,薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强.掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性,电阻率随着温度的降低而提高,满足变程跳跃电导输运机制.采用激光熔融(PLM)对薄膜进行退火,薄膜晶化率达50％以上.晶化的掺钛硅薄膜仍保持较高的可见-红外波段的光吸收. |
| 关 键 词： | 硅薄膜 超高浓度钛掺杂 热丝化学气相沉积 |
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