| 16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化 |
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| 引用本文： | 安俊明,李健,郜定山,李建光,王红杰,胡雄伟.16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化[J].半导体光电,2004,25(5):345-348,352. |
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| 作者姓名： | 安俊明 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083;内蒙古大学,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对设计的折射率差为0.75%的16×0.8 nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD-BPM)进行了数值模拟和优化.通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5 dB、串扰为-48 dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求.
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| 关 键 词： | 阵列波导光栅 波分复用 优化 数值模拟 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)05-0345-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月22日 |
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