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| 掺硼多晶硅的远红外光谱 | |
| 作者姓名： | 陈辰嘉 A.Borghesi M.Geddo A.Stella |
| 作者单位： | 北京大学物理系，Pavia大学物理系，Pavia大学物理系，Pavia大学物理系 北京，Pavia 意大利，Pavia 意大利，Pavia 意大利 |
| 摘 要： | 用傅里叶变换光谱仪在15K和230～620cm~(-1)范围内研究了不同含Fe量的P型掺B多晶硅的远红外吸收光谱.观测和分析了Si中受主(B)基态到P_(3/2)价带相关的激发态系列的跃迁.实验结果表明,随着Fe浓度的增加,B受主激发谱的吸收强度显著减弱.证明Fe-B对的形成和Fe杂质在晶粒边界的可能的积累.实验还观测到P型Si(B)中不同含Fe量时607cm~(-1)处C局域振动模的吸收变化,讨论了Fe杂质对C振动吸收的影响. |
| 关 键 词： | P型掺硼多晶硅 受主基态 价带激发态 远红外吸收谱 |
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