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中子活化法测定硅中注磷剖面分布
作者姓名:孙福桃  曹如晟  顾琦珍
作者单位:中国科学院上海冶金研究所(孙福桃,曹如晟),中国科学院上海冶金研究所(顾琦珍)
摘    要:本文对不同注磷能量和不同剂量(5×10~(14)~1×10~(16)/cm~2)的硅片进行了中子活化分析,测定硅中磷的剖面分布、注入剂量及其射程,方法测量下限为4×10~(10)g。 1.实验部分 1).试样辐照和退火 注磷硅片经酒精清洗后包于铝箔中。硅片与磷标准置于中子通量为7×10~~(13)n/cm~2·s的反应堆中辐照50小时,冷却14天。经过堆中子辐照后的注磷硅片置于管形炉中,在700°~900°e

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