| 引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率 |
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| 引用本文： | 冉均国 王灿丽 苟立 冉旭 苏葆辉 李德贵 廖晓明. 引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率[J]. 稀有金属材料与工程, 2007, 36(A01): 896-899 |
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| 作者姓名： | 冉均国 王灿丽 苟立 冉旭 苏葆辉 李德贵 廖晓明 |
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| 作者单位： | 四川大学,四川成都610065 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（10275046） |
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| 摘 要： | 微波等离子体法合成的金刚石薄膜质量好，但常规小型微波等离子体沉积金刚石薄膜速率低，为此，本实验在H2-CH4系统中引入CO2来提高金刚石薄膜的沉积速率。研究了不同碳源体积分数、功率、压力对沉积速率、金刚石形貌、电阻率的影响。其规律是随着碳源体积分数的增加，金刚石膜的沉积速率增加；随着压力的增加，生长速率呈现一个先增后减的趋势；随着功率的增加，也存在一个先增后降的趋势。研究结果表明碳源体积分数对沉积速率影响最大。综合各种因素，得到在H2＋CH4＋CO2的条件下沉积金刚石薄膜的最佳工艺条件为：碳源体积分数为0．63％；C／O=1．086；功率为490W；压力为5．33kPa。引入CO2使沉积速率得到提高，为常规方法沉积速率的3倍左右，表明引入CO2是一种提高沉积速率的有效方法。
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜 微波等离子体 二氧化碳 沉积速率 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）S1-0896-04 |
| 修稿时间： | 2007-02-28 |
Improving Growth Rate of Diamond Film by the Addition of CO2 |
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| Ran Junguo, Wang Canli, Gou Li, Ran Xu, Su Baohui, Li Degui, Liao Xiaoming. Improving Growth Rate of Diamond Film by the Addition of CO2[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2007, 36(A01): 896-899 |
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| Authors: | Ran Junguo Wang Canli Gou Li Ran Xu Su Baohui Li Degui Liao Xiaoming |
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| Affiliation: | Sichuan University, Chengdu 610065, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond film microwave plasma CO2 growth rate |
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