| VO2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象 |
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| 引用本文： | 卢勇,林理彬,何捷,卢铁城. VO2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象[J]. 功能材料, 2002, 33(1): 73-75 |
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| 作者姓名： | 卢勇 林理彬 何捷 卢铁城 |
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| 作者单位： | 四川大学,物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,四川,成都,610064 |
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| 摘 要： | 对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用SEM和XPS对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关；较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤，当辐照剂理增大时，γ辐照在VO2薄膜中产生退火效应，使薄膜表面质量得到改善。辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合，对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论。
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| 关 键 词： | VO2薄膜 γ辐照 变价 退火效应 |
| 文章编号： | 1001-9731(2002)01-0073-03 |
| 修稿时间： | 2000-11-20 |
Valence variation and annealing effect in VO2 thin films during y-ray irradiation |
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| LU Yong,LIN Li-bin,HE Jie,LU Tie-cheng. Valence variation and annealing effect in VO2 thin films during y-ray irradiation[J]. Journal of Functional Materials, 2002, 33(1): 73-75 |
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| Authors: | LU Yong LIN Li-bin HE Jie LU Tie-cheng |
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