| 基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 谢莲革,汪建勋,沈鸽,翁文剑,杜丕一,韩高荣. 基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响[J]. 功能材料, 2005, 36(3): 411-413,418 |
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| 作者姓名： | 谢莲革 汪建勋 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 |
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| 作者单位： | 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA320202) |
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| 摘 要： | 以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。
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| 关 键 词： | APCVD法 Sb掺杂SnO2薄膜 基板温度 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)03-0411-03 |
Effect of substrate temperature on the structure and properties of SnO2: Sb films |
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| XIE Lian-ge,WANG Jian-xun,SHEN Ge,WENG Wen-jian,DU Pi-yi,HAN Gao-rong. Effect of substrate temperature on the structure and properties of SnO2: Sb films[J]. Journal of Functional Materials, 2005, 36(3): 411-413,418 |
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| Authors: | XIE Lian-ge WANG Jian-xun SHEN Ge WENG Wen-jian DU Pi-yi HAN Gao-rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | APCVD method Sb doped SnO_2 film substrate temperature |
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