沉积在硅油表面上Au薄膜的电学性能及成膜机理 |
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引用本文: | 夏阿根,杨波,金进生,叶全林,陶向明,叶高翔.沉积在硅油表面上Au薄膜的电学性能及成膜机理[J].真空科学与技术,2003,23(4):235-239. |
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作者姓名: | 夏阿根 杨波 金进生 叶全林 陶向明 叶高翔 |
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作者单位: | 浙江大学物理系,杭州310028 |
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摘 要: | 采用硅油作基底,沉积出具有网状特征结构的逾渗Au薄膜,用四引线方法原位测量Au薄膜的电学性能,测得其电阻随沉积时间以及凝聚时间的变化规律,较好地解释了此类薄膜的生长机制。对Au薄膜R-I特性的测量结果表明:生长在液体基底表面Au薄膜的局域隧道电流和跳跃电导效应比一般薄膜更为强烈,其功率谱指数w趋于零,该值远小于普通逾渗薄膜系统的相应值。
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关 键 词: | Au薄膜 网状结构 电特性 |
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