化学汽相淀积薄膜中的热应力:二元砷硅酸盐玻璃的情况 |
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引用本文: | 胡成烈.化学汽相淀积薄膜中的热应力:二元砷硅酸盐玻璃的情况[J].微纳电子技术,1973(10). |
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作者姓名: | 胡成烈 |
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摘 要: | 在硅上汽相沉积的二元砷硅酸盐玻璃薄膜的热处理特性和表面结构对其温度和组分的函数做了系统的研究。起初在 Ar 中用800℃热处理在薄膜中产生的热应力跟硅衬底的膨胀系数失配完全表现出来,对于所观察到的薄膜与衬底分离的温度低,但是当沉积的薄膜中 As_2O_3的总量是明显地降低时到百分之0.5克分子(m/0)As_2O_3]尽管温度高达1100℃,薄膜的分离可以全部消除。对这些低 As_2O_3薄膜延长热处理可以在硅中产生很均匀的 N~ 扩散层。
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