| (Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生. (Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系[J]. 半导体光电, 2000, 0(4) |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系!福建厦门361005 |
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| 摘 要： | 研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围内 ,谱线半宽从 2 4meV变到 4 0～ 6 0meV ,强度减小了大约两个数量级。对PL谱积分强度随温度变化的拟合表明 ,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于 90K ,激活能为 4～ 5meV ,温度大于 90K ,激活能为 2 5～ 55meV。认为低温区行为由带边起伏引起的载流子热离化伴随的无辐射跃迁所控制 ,而高温区取决于子晶格的有序度。
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| 关 键 词： | 光致发光 激活能 有序度 |
Temperature Dependence of (Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49) P Photoluminescence Spectra |
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| GAO Yu lin,LU Yi jun,ZHENG Jian sheng. Temperature Dependence of (Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49) P Photoluminescence Spectra[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2000, 0(4) |
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| Authors: | GAO Yu lin LU Yi jun ZHENG Jian sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence activation energy ordering degree |
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