| 空间用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照性能及退化机制研究 |
| |
| 引用本文： | 马大燕,陈诺夫,陶泉丽,赵宏宇,刘虎,白一鸣,陈吉堃.空间用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照性能及退化机制研究[J].材料导报,2017,31(Z2):12-16. |
| |
| 作者姓名： | 马大燕 陈诺夫 陶泉丽 赵宏宇 刘虎 白一鸣 陈吉堃 |
| |
| 作者单位： | 华北电力大学可再生能源学院,北京102206,华北电力大学可再生能源学院,北京102206,华北电力大学可再生能源学院,北京102206,北京国网富达科技发展有限责任公司,北京 100070,华北电力大学可再生能源学院,北京102206;石家庄铁道大学数理系,石家庄 050041,华北电力大学可再生能源学院,北京102206,北京科技大学材料科学与工程学院,北京 100083 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61006050；61076051)；中央高校基本科研业务费专项资金(13ZD05)；北京市自然科学基金(2151004) |
| |
| 摘 要： | 利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二次吸收,提高了Ga As子电池的抗辐照能力。通过对两种电池结构A、B地面模拟辐照试验获得1 Me V电子辐照下Ga In P/Ga As/Ge太阳电池电学参数随辐照注量退化的基本规律。在此基础上应用PC1D模拟程序分析太阳电池内部的载流子输运机理,建立1 Me V电子辐照下两种电池结构中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照电子注量变化的基本规律。研究结果表明,多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小,同时原电池结构A中多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数明显高于新电池结构B,由此表明包含布拉格反射器的新电池结构具有更强的抗辐照能力。
|
| 关 键 词： | 布拉格反射器 抗辐照 PC1D 多数载流子浓度 少数载流子扩散长度 |
Radiation Resistance and Degradation Mechanism of SpaceGaInP/GaAs/Ge Triple-junction Solar Cell |
| |
| MA Dayan,CHEN Nuofu,TAO Quanli,ZHAO Hongyu,LIU Hu,BAI Yiming and CHEN Jikun.Radiation Resistance and Degradation Mechanism of SpaceGaInP/GaAs/Ge Triple-junction Solar Cell[J].Materials Review,2017,31(Z2):12-16. |
| |
| Authors: | MA Dayan CHEN Nuofu TAO Quanli ZHAO Hongyu LIU Hu BAI Yiming and CHEN Jikun |
| |
| Affiliation: | School of Renewable Energy Sources, North China Electric Power University, Beijing 102206,School of Renewable Energy Sources, North China Electric Power University, Beijing 102206,School of Renewable Energy Sources, North China Electric Power University, Beijing 102206,Beijing Guowang Fuda Science and Technology Development Co., Ltd., Beijing 100070,School of Renewable Energy Sources, North China Electric Power University, Beijing 102206;Department of Mathematics and Physics,Shijizhuang Tiedao University, Shijiazhuang 050041,School of Renewable Energy Sources, North China Electric Power University, Beijing 102206 and School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | distributed Bragg reflector anti-radiation PC1D majority carrier concentration minority carrier diffusion length |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《材料导报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料导报》下载全文 |
|
