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低温预氧化对PIP-SiCf/SiC复合材料介电性能的影响
引用本文:穆阳,李皓,刘宇清,林刚,周万城.低温预氧化对PIP-SiCf/SiC复合材料介电性能的影响[J].材料导报,2017,31(Z2):129-133.
作者姓名:穆阳  李皓  刘宇清  林刚  周万城
作者单位:中国飞行试验研究院航电所,西安 710089,中国飞行试验研究院航电所,西安 710089,南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室,南京 210016,中国飞行试验研究院航电所,西安 710089,西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安 710072
基金项目:穆阳:男,1989年生,博士,工程师,研究方向为耐高温宽频吸波结构设计及制备、电磁散射特性测量、吸波材料电磁仿真计算E-mail:753340357@qq.com
摘    要:分析了低温预氧化过程对聚碳硅烷(PCS)先驱体结构的影响,研究了不同预氧化温度和时间下SiCf/SiC复合材料室温和高温介电性能的演变规律。结果表明:经预氧化处理后基体中的氧含量增加,生成具有低介电常数的Si CxOy相,且其含量随着预氧化温度的升高或时间的延长逐渐增加,SiC微晶和自由碳的含量均减少,因此SiCf/SiC复合材料的复介电常数明显降低,同时高温复介电常数的升高幅度显著减小。经260℃-6 h预氧化处理后,700℃时复合材料在整个X波段的反射率均达到-8 d B以下,高温吸波性能得到有效改善。

关 键 词:SiCf/SiC复合材料  低温预氧化  PIP法  高温介电性能  高温吸波性能

Effects of Low-temperature Pre-oxidization on Dielectric Properties of PIP-SiCf/SiC Composites
MU Yang,LI Hao,LIU Yuqing,LIN Gang and ZHOU Wancheng.Effects of Low-temperature Pre-oxidization on Dielectric Properties of PIP-SiCf/SiC Composites[J].Materials Review,2017,31(Z2):129-133.
Authors:MU Yang  LI Hao  LIU Yuqing  LIN Gang and ZHOU Wancheng
Abstract:
Keywords:SiCf/SiC composites  low-temperature pre-oxidation  PIP process  high-temperature dielectric property  high-temperature microwave absorbing property
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