非晶态合金Fe_(80-x)Cu_xSi_(15)B_5中Cu含量对正电子湮没特性的影响

我们对x=0、0.5和1的三种非晶样品测量了正电子平均寿命和Doppler加宽线形参数。为了确定寿命值的微小变化,采用了差分方法。将正电子实验的结果与X射线径向分布函数的测量结果作了比较。三种样品的平均寿命τ为151—148ps,正电子取样的平均原子半径～1.67A,径向分布函数估计的平均原子间距r_1/2～1.25A,这表明正电子被局域在原子密度低于平均值的区域内。忽略库仑相互作用的非线性项,我们估计与这种低密度区相联系的自由体积～0.77(以Fe中一个单空位的自由体积为单位)。X射线的结果表明,随Cu浓度增加平均原子间距略有增加。但寿命和H、D参数却下降,W上升。这表明正电子并未被深度捕获,冻结在Cu邻近自由体积和Fe邻近自由体积中的赝势差足以造成正电子的空间分布在Cu邻近自由体积中的局部增强,导致湮没特性趋向Cu。冻结在Cu和Fe邻近自由体积之间的赝势差估计为～0.84eV。它可以作为局域势上限的一个粗略估计。