| 3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性 |
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| 引用本文： | 张永兴,孙国胜,王雷,赵万顺,高欣,曾一平,李晋闽,李思渊. 3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性[J]. 半导体学报, 2004, 25(9) |
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| 作者姓名： | 张永兴 孙国胜 王雷 赵万顺 高欣 曾一平 李晋闽 李思渊 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了低压化学气相淀积方法制备的n-3C-SiC/p-Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度-电压(J-V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×104,在480K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在300K温度下反向击穿电压最高可达220V.电容-电压特性表明该SiC/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0.75V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极SiC/Si HBT等.
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| 关 键 词： | LPCVD 异质结二极管 高温特性 LPCVD heterojunction diodes high temperature characteristics |
High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD |
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