| CeO2掺杂BaTjO3基x7R材料的介温特性 |
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| 作者单位： | 李弢（清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京，100084）;李龙土（清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京，100084）;桂治轮（清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京，100084） |
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| 摘 要： | 研究了CeO2与Nb2O5和Co2O3共掺杂的BaTiO3基X7R材料的介温特性。系统在X7R温度范围内体现出高介(＞4000)、稳定、低损耗(＜2％)的特点。介电温谱表明相同工艺条件下，CeO2含量zk加可提高室温介电常数和介温变化率；适当提高预烧温度有助于介温谱的平化，且其介温特性表现出更为明显的多峰效应。系统可在1220～1240℃的较低温度下烧成。
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| 关 键 词： | X7R；BaTiO3；升温特性 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)zk刊-0055-02 |
| 修稿时间： | 1999-01-06 |
Temperature Dependence of Dielectric Properties in BaTiO3 Based X7RMaterials Doped with CeO2 |
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