纳米尺度加工技术概述 |
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引用本文: | 王吉林,陈培毅. 纳米尺度加工技术概述[J]. 半导体学报, 2003, 24(z1): 229-234 |
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作者姓名: | 王吉林 陈培毅 |
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作者单位: | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;69836020,10075029; |
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摘 要: | 介绍了两大类纳米尺度加工技术--高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术.其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme ultraviolet lithography)、高效率低成本但目前无法套刻且模板制作困难的纳米压印技术(nano-imprint lithography)和线条最精细但低效率的扫描探针技术(scanning probe lithography)等.工艺流程控制形成纳米尺度技术利用一些常规工艺原理如侧墙掩膜和各向异性腐蚀、多孔氧化铝模板等实现局域或自组装纳米结构,能在传统微电子工艺条件下超越光刻技术分辨率限制制备可控的纳米线条或点,但集成度仍受光刻精度限制.
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关 键 词: | 纳米加工 光刻 纳米压印 扫描探针显微镜 侧墙掩模 各向异性腐蚀 多孔氧化铝模板 |
文章编号: | 0253-4177(2003)0-0229-06 |
修稿时间: | 2002-09-16 |
Nanoscale Fabrication Techniques |
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Abstract: | |
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