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| LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响 | |
| 引用本文： | 丁磊,许剑,韩郑生,梅沁,钟传杰. LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响[J]. 液晶与显示, 2008, 23(2): 173-177 |
| 作者姓名： | 丁磊 许剑 韩郑生 梅沁 钟传杰 |
| 作者单位： | 1. 江南大学,信息工程学院,江苏,无锡,214122 2. 中国科学院,微电子研究所,北京,100029 3. 无锡供电公司,信息中心,江苏,无锡,214061 |
| 摘 要： | 利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小. |
| 关 键 词： | 多晶硅薄膜晶体管 KINK效应 Medici Tsuprem4 工艺参数 多晶硅薄膜晶体管 KINK Effect 效应 影响 Transistors Thin Film Parameters 非线性 注入能量 最小值 存在 器件 变化 结果 计算 关系 剂量 掺杂参数 研究 |
| 文章编号： | 1007-2780(2008)02-0173-05 |
| 修稿时间： | 2007-10-15 |
Influence of LDD Parameters on KINK Effect of Poly-Silicon Thin Film Transistors |
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| DING Lei,XU Jan,HAN Zheng-sheng,MEI Qin,ZHONG Chuan-jie. Influence of LDD Parameters on KINK Effect of Poly-Silicon Thin Film Transistors[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2008, 23(2): 173-177 | |
| Authors: | DING Lei XU Jan HAN Zheng-sheng MEI Qin ZHONG Chuan-jie |
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