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| 碲化镉肖特基势垒的温度依赖关系 | |
| 作者姓名： | 张世表 史尚畬 |
| 作者单位： | 南开大学物理系 天津,北京2137信箱 |
| 摘 要： | 本文通过对Au/n-CdTe肖特基二极管I-V-T测量得出:在室温附近,势垒高度随温度升高而线性增加,增加速率约为 9 ×10~(-4)eV/K.这一结果与 Hattori 等对InP的研究结果一致, |
| 关 键 词： | 肖特基势垒 势垒高度 界面态 界面层 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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