| 碲化镉肖特基势垒的温度依赖关系 |
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| 引用本文： | 张世表,史尚畬. 碲化镉肖特基势垒的温度依赖关系[J]. 半导体学报, 1988, 9(4): 443-445 |
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| 作者姓名： | 张世表 史尚畬 |
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| 作者单位： | 南开大学物理系 天津，北京2137信箱 |
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| 摘 要： | 本文通过对Au/n-CdTe肖特基二极管I-V-T测量得出:在室温附近,势垒高度随温度升高而线性增加,增加速率约为 9 ×10~(-4)eV/K.这一结果与 Hattori 等对InP的研究结果一致,
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| 关 键 词： | 肖特基势垒 势垒高度 界面态 界面层 |
Temperature Dependence of Barrier Heights of Au/n-CdTe Schottky Diodes |
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| Zhang Shibiao/Physics Department,Nankai University,Tianjin,ChinaShi Shangyu/P. O. Box Beijing,Beijing.China. Temperature Dependence of Barrier Heights of Au/n-CdTe Schottky Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1988, 9(4): 443-445 |
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| Authors: | Zhang Shibiao/Physics Department Nankai University Tianjin ChinaShi Shangyu/P. O. Box Beijing Beijing.China |
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| Affiliation: | Zhang Shibiao/Physics Department,Nankai University,Tianjin,ChinaShi Shangyu/P. O. Box 2137 Beijing,Beijing.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Schottky barrier Barrier height Interface states Interfacial layer |
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