薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（EBE）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子束蒸发技术引人离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在同一放电室内完成。该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括C，W，Ta，Mo，Cr，Ti，B，Cu，Ni，Al，Ar，N以及C和N，Ti等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为3．6cm，其最大引出束流可达到90mA。利用此源引出的离子束流可在膜基间形成具有良好共混的过渡层，其沉积速率Mo约为2．5nm／s，C可达到8nm／s。