|
|||||
|
|
| 硅低温晶体管的研究 | |
| 作者姓名： | 魏同立 郑茳 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 南京(魏同立，郑茳)，东南大学微电子中心 南京(冯耀兰) |
| 摘 要： | 本文从理论和实验上研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型阐明了低温时电流增益下降的机理,探讨了采用轻掺杂技术和a-Si发射区获得良好电性能的硅低温晶体管的方法,理论分析和实验结果吻合一致。 |
| 关 键 词： | 硅晶体管 低温特性 电流增益 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |