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| 量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管 有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题 | |
| 摘 要： | <正>据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新 |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 量子隧穿效应 科学家 芯片 能效 北京时间 宾夕法尼亚 生热 电子设备 物理学家 |
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