用于红外辐射的Cd_xHg_(1-x) Te光伏探测器的一些性质

已经制备了使用Cd_XHg_(1-X)Te 晶体工作在77—300°K 温度范围的p-n 结光伏探测器,结是由真空中或汞气氛中热处理p 型样品而制得。本程序使在p 型基底上产生一厚度为几十微米的n 型表面层。在遍及77—350°K 温度范围测定了伏安特性和结电容。回时,对于波长1—15微米在77°K 和300°K 测定了光电压,从已进行的测量发现,对于所研究的探测器,77°K 时最大光电灵敏度和探测率分别为1000伏/瓦和10~9—10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)量级。发现光灵敏度极值在1—9微米波长范围内随着结区组分偏离的改变而漂移。