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| CVD金刚石膜工艺研究 | |
| 引用本文： | 张鬲君,易孟林,苗晋琦.CVD金刚石膜工艺研究[J].郑州工业高等专科学校学报,2004,20(2):15-16. |
| 作者姓名： | 张鬲君 易孟林 苗晋琦 |
| 作者单位： | [1]华中科技大学机电学院430074 [2]北京科技大学材料学院，北京100073 |
| 摘 要： | 用电镜、激光ROMAN谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度、基片温度的增加而增加，随工作气压的升高先是增加，而后降低，峰值在15—20kPa处。 |
| 关 键 词： | CVD金刚石膜 生长速率 直流电弧等离子体喷射 制造工艺 光学窗口材料 |
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