注氧绝缘体上硅结构CMOS器件特性 |
| |
引用本文: | Mao,BY 肖辉杨.注氧绝缘体上硅结构CMOS器件特性[J].微电子学,1989,19(5):28-31,42. |
| |
作者姓名: | Mao BY 肖辉杨 |
| |
摘 要: | 本文研究了在不同氧剂量下,由氧注入绝缘体上在(SOI)衬底制得的CMOS器件的特性。结果表明,当氧剂量由2.25×10~(18)cm~(-2)减少到1.4 ×10~(18)cm~(-2)时,晶体管结泄漏电流改善了几个数量级。浮体效应(即在较低的栅电压下晶体管的导通状态,当漏极电压增大时,亚阈值斜率也大为改善)由于泄漏电流和氧剂量的减少而得到增强。采用1.4×10~(18)cm~(-2)氧剂量注入,并在1150℃退火的SOI衬底,其背沟迁移率比无沉淀物硅薄膜的迁移率降低了几个量级。这些器件特性与硅-氧化物埋层界面的微结构相关,这种微结构受氧注入及氧注入后退火的控制。
|
关 键 词: | CMOS器件 绝缘体上硅 注氧 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|