快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析

将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中,然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入,使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。