| 快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析 |
| |
| 引用本文： | 王雪文,曹子祥. 快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析[J]. 电子显微学报, 1999, 18(4): 430-433 |
| |
| 作者姓名： | 王雪文 曹子祥 |
| |
| 作者单位： | 西北大学电子科学系,西安,710069 |
| |
| 摘 要： | 将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中，然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入，使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷，其表面轮廓是类似矩形和方形的图形；发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。
|
| 关 键 词： | 氢化非晶硅薄膜 快速退火 离子注入 晶化 |
Microscopic analysis of rapid annealed amorphous silicon film implanted with BF+. |
| |
| WANG Xue-wen,CAO Zi-xiang. Microscopic analysis of rapid annealed amorphous silicon film implanted with BF+.[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 1999, 18(4): 430-433 |
| |
| Authors: | WANG Xue-wen CAO Zi-xiang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | hydrogenated amorphous silicon film rapid annealing ion implantation crystallization |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
