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| BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC | |
| 引用本文： | 鲍荣生.BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC[J].微纳电子技术,2001,38(2):31-36. |
| 作者姓名： | 鲍荣生 |
| 作者单位： | 上海贝岭股份公司,上海,200233 |
| 摘 要： | 采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其 β值。最后建议采用广义的 SPC使 β值受控达到设计规范 |
| 关 键 词： | 电流放大系数β SUPREM3 广义SPC |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)02-0031-06 |
| 修稿时间： | 2001年1月3日 |
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