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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结
作者姓名:
陈宗圭
梁基本
孙殿照
黄运衡
孔梅影
作者单位:
中国科学院半导体研究所(陈宗圭,梁基本,孙殿照,黄运衡),中国科学院半导体研究所(孔梅影)
摘 要:
利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.7 × 10~(11)cm~(-2).在低温强磁场下,观察到异质结电子系统的二维SdH振荡特性和量子化Hall效应.
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