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| 分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结 | |
| 作者姓名： | 陈宗圭 梁基本 孙殿照 黄运衡 孔梅影 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(陈宗圭，梁基本，孙殿照，黄运衡)，中国科学院半导体研究所(孔梅影) |
| 摘 要： | 利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.7 × 10~(11)cm~(-2).在低温强磁场下,观察到异质结电子系统的二维SdH振荡特性和量子化Hall效应. |
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