| P^＋—AlxGa1—xAs／p—n—n^＋—GaAs型太阳能电池的两步液相外延生长 |
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| 引用本文： | 刘翔 陈庭金 等. P^＋—AlxGa1—xAs／p—n—n^＋—GaAs型太阳能电池的两步液相外延生长[J]. 新能源, 2000, 22(12): 32-34 |
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| 作者姓名： | 刘翔 陈庭金 等 |
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| 作者单位： | [1]昆明理工大学材料与冶金工程学院材料系，昆明650051 [2]云南师范大学太阳能研究所，昆明650092 |
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| 摘 要： | 两步液相外延生长是制作高质量，高效率P^ -AlxGa1-xAs/p-n-n^ -GaAs型太阳能电池的关键，本文就此问题进行了研究，得出结论：n-GaAs外延层是制作整个太阳能电池的关键之一；两步液相外延生长P^ -AlxGa1-xAs/p-n-n^ -GaAs型太阳能电池，与一步液相外延生长相比，提高了电流密度（Jsc).
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| 关 键 词： | 液相外延生长 太阳能电池 砷化镓 |
| 修稿时间： | 2000-01-25 |
Liquid Phase Epitaxiai Growth of p+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAsSolar Cells UsingTWo Steps |
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