| Al0.5Ga0.5N/GaN/Al0.5Ga0.5N量子阱中依赖于表面载流子浓度的Rashba自旋劈裂 |
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| 引用本文： | 蔡子亮,李明,范丽波. Al0.5Ga0.5N/GaN/Al0.5Ga0.5N量子阱中依赖于表面载流子浓度的Rashba自旋劈裂[J]. 半导体学报, 2014, 35(9): 092002-5 |
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| 作者姓名： | 蔡子亮 李明 范丽波 |
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| 摘 要： | 通过自洽求解薛定谔和泊松方程，计算了不同表面载流子浓度的Al0.5Ga0.5N/GaN/Al0.5Ga0.5N 量子阱中第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂。第一子带在费米能级处的Rashba自旋劈裂可观并且随Ns明显增加，因为Rashba系数特别是费米波矢增加很快。随着Ns的增加，第一子带波函数的峰朝着左异质结界面移动，且阱层的平均电场增加，所以来自阱层和异质结界面的这两个主要贡献部分增加。因而，III族氮化物异质结构中的强极化电场和高浓度的二维电子气对α至关重要，使AlGaN/GaN量子阱的Rashba自旋劈裂同窄带隙的III-V族材料可比。结果表明Ns是影响AlGaN/GaN量子阱中的Rashba系数和Rashba自旋劈裂的一个重要参数，表明这种材料可以应用到自旋电子学器件中。
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| 关 键 词： | Rashba自旋劈裂，子带间自旋轨道耦合，自洽计算，二维电子气 |
Sheet carrier density dependent Rashba spin splitting in the Al0.5Ga0.5N/GaN/Al0.5Ga0.5N quantum well |
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| Cai Ziliang,Li Ming and Fan Libo. Sheet carrier density dependent Rashba spin splitting in the Al0.5Ga0.5N/GaN/Al0.5Ga0.5N quantum well[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2014, 35(9): 092002-5 |
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| Authors: | Cai Ziliang Li Ming Fan Libo |
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| Affiliation: | College of Electrical and Information Engineering, Xuchang University, Xuchang 461000, China;College of Electrical and Information Engineering, Xuchang University, Xuchang 461000, China;College of Electrical and Information Engineering, Xuchang University, Xuchang 461000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Rashba spin splitting intersubband spin-orbit coupling self-consistent calculation 2DEG |
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