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用In2O3薄膜制成的高感度半导体O3传感器
引用本文:牛文成,徐春林,张福海,祁增芳,张玉英,赖斌斌. 用In2O3薄膜制成的高感度半导体O3传感器[J]. 传感技术学报, 1998, 11(1): 7-12
作者姓名:牛文成  徐春林  张福海  祁增芳  张玉英  赖斌斌
作者单位:南开大学电子科学系!天津市300071
摘    要:用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10~(-9)~1×10~(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O_3非常敏感的物理机制.

关 键 词:O3 传感器 化学吸附 三氧化二铟薄膜

Highly Sensible Ozone Sensor Using an In_2O_3 thin film
Niu Wencheng Xu Chunlin Zhang FuhaiQi Zengfang Zhang Yuying Lai Binpin. Highly Sensible Ozone Sensor Using an In_2O_3 thin film[J]. Journal of Transduction Technology, 1998, 11(1): 7-12
Authors:Niu Wencheng Xu Chunlin Zhang FuhaiQi Zengfang Zhang Yuying Lai Binpin
Abstract:
Keywords:high sensibilityIn2O3 thin filmO3 sensorchemisorptiondebye - lengthAET.  
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