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K波段反馈式MMIC中功率放大器
引用本文:王闯,钱蓉,孙晓玮.K波段反馈式MMIC中功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2007,27(2):199-202,263.
作者姓名:王闯  钱蓉  孙晓玮
作者单位:上海微系统与信息技术研究所,中国科学院,上海,200050
基金项目:上海市新泰基金 , 上海市科委资助项目
摘    要:给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21~29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于1.7。芯片尺寸:1mm×2.5mm×0.1mm。同时给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性。

关 键 词:功率赝配高电子迁移率晶体管  微波单片集成电路功率放大器  芯片级电磁场仿真  低频振荡消除网络
文章编号:1000-3819(2007)02-199-04
修稿时间:2005年10月31

K-band Feedback MMIC Medium Power Amplifier
WANG Chuang,QIAN Rong,SUN Xiaowei.K-band Feedback MMIC Medium Power Amplifier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2007,27(2):199-202,263.
Authors:WANG Chuang  QIAN Rong  SUN Xiaowei
Abstract:This report describes a compacted K-band double stage MMIC broad-band PA(power amplifier).The PA has been fabricated on advanced 0.25 μm power pHEMT process.At 21~29 GHz,the PA has 21 dBm output power at 1 dB gain compression point when Vd=6 V,Vg=-0.25 V,Ids=111 mA.It also has small signal gain of 13±1.5 dB.Its VSWRs are below 3 and 1.7 respectively for input and output ports.It is convenient to use with good reliability and consistency.The chip dimension is 1 mm×2.5 mm×0.1 mm.In addition,we give a full layout EM simulation solution,and we conclude the similar results between EM simulation and measurement.
Keywords:power PHEMT  MMIC power amplifier  layout EM simulation  low frequency oscillation avoided network
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