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| 二次硼离子热扩散制作微电阻 | |
| 引用本文： | 黄腾超,沈亦兵,侯西云. 二次硼离子热扩散制作微电阻[J]. 浙江大学学报(工学版), 2005, 39(4): 471-474 |
| 作者姓名： | 黄腾超 沈亦兵 侯西云 |
| 作者单位： | 黄腾超（浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室,浙江 杭州 310027） 沈亦兵（浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室,浙江 杭州 310027） 侯西云（浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室,浙江 杭州 310027） |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目，高等学校博士学科点专项科研项目 |
| 摘 要： | 为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动，提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的，利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算，建立了制备过程中硅基底中的硼离子的空间浓度分布的理论模型，优化了二次硼扩散工艺条件.盘旋形的电阻形状设计提供了良好的温度控制和热量利用率，加热温度可以从室温一直加热至200℃.测量得到了电阻的有效结深及方块电阻，实验结果表明，电阻内部扩散区域的结深非常浅，硼离子掺杂浓度非常高，与理论模拟基本吻合. |
| 关 键 词： | 硼扩散 硅微晶玻璃 微电阻 结深 方块电阻 |
| 文章编号： | 1008-973X(2005)04-0471-04 |
| 修稿时间： | 2003-12-15 |
Two step rapid thermal boron diffusion making micro resistor |
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| HUANG Teng-chao,SHEN Yi-bing,HOU Xi-yun. Two step rapid thermal boron diffusion making micro resistor[J]. Journal of Zhejiang University(Engineering Science), 2005, 39(4): 471-474 | |
| Authors: | HUANG Teng-chao SHEN Yi-bing HOU Xi-yun |
| Abstract: | |
| Keywords: | RTBD BSG micro resistor junction depth sheet resistance |
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