| CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析 |
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| 引用本文： | 陆妩,郭旗,任迪远,余学锋,张国强,严荣良,王明刚,胡浴红,赵文魁. CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析[J]. 核技术, 2002, 25(3): 218-222 |
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| 作者姓名： | 陆妩 郭旗 任迪远 余学锋 张国强 严荣良 王明刚 胡浴红 赵文魁 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011
2. 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性，各节点电流，电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化，探讨了引起运放电特性退化的主要原因，结果显示，由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称，在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配，是导致运放电参数发生剧变的根本原因，对CMOS运放电路来说，电路结构的匹配及MOSFET单管I－V持性的优劣，是决定运放抗辐射能力的关键。
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| 关 键 词： | CMOS 运算放大器 辐射效应 辐射损伤 单管特性 集成电路 电路 节点电流 节点电压 |
| 修稿时间： | 2000-04-24 |
Analyses of the CMOS op-amps'''' damage in irradiation environment |
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| LU Wu GUO Qi REN Diyuan YU Xuefeng ZHANG Guoqiang YAN Rongliang. Analyses of the CMOS op-amps'''' damage in irradiation environment[J]. Nuclear Techniques, 2002, 25(3): 218-222 |
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| Authors: | LU Wu GUO Qi REN Diyuan YU Xuefeng ZHANG Guoqiang YAN Rongliang |
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| Abstract: | The total dose radiation responses of transistors, subsidiary and entire circuits of CMOS amplifiers with P channel transistor pair inputs have been investigated. It was shown that the main mechanisms of performance degrade of op-amps is unbalance of the current mirror caused by the non-symmetry output characteristics of the differential input transistors. So good match of the op-amps' structure and the I-V characteristic of its transistors are the key issues to determine the tolerance of an op-amps to total dose radiation. |
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| Keywords: | CMOS amplifiers Radiation effects Damage analysis |
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