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| 电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制 | |
| 引用本文： | 任迪远,余学锋.电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制[J].半导体技术,1994(5):44-46,62. |
| 作者姓名： | 任迪远 余学锋 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 摘 要： | 通过研究６０Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ跨导衰降之间的依赖关系。试验表明，对于ＰＭＯＳＦＥＴ，电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于ＮＭＯＳＦＥＴ来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。 |
| 关 键 词： | MOSFET 跨导 电离辐射 场效应管 |
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