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| Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究 | |
| 引用本文： | 张林涛,任天令.Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究[J].真空科学与技术,2000,20(6):394-396. |
| 作者姓名： | 张林涛 任天令 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京 |
| 摘 要： | 介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料，在９００℃，３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析结果显示，ＰＺＴ铁电薄膜的晶化很完善。研究了ＰＺＴ铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备ＰＺＴ铁电薄膜的低温改进工艺。 |
| 关 键 词： | 溶胶－凝胶法 锆钛酸铅 硅基铁电薄膜 制备工艺 |
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