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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
半导体InP的高能重离子辐照效应研究
作者姓名:
胡新文
王少阶
陈志权
李世清
侯民东
作者单位:
武汉大学物理系,中国科学院兰州近代物理研究所
摘 要:
本文利用500MeV的Ne离子对掺Zn的InP的半导体进行了辐照,并且MonteCarlo模拟及正电子湮没技术研究了辐照产生的缺陷.模拟计算结果表明,注入的Ne的离子及辐照产生的缺陷均主要集中在离子射程末端,由正电子寿命测量结果可知,在低剂量辐照时,产生的空位为单空位,当辐照齐量增大时,单空位由于相互聚合变成双空位及空位团,随着剂量进一步增大,还会形成无序的非晶层.
关 键 词:
磷化铟 辐照 缺陷 正电子谱学
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