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| 层叠结构的Si0.65Ge0.35/Si红外探测器的微结构研究 | |
| 作者姓名： | 刘安生 邵贝羚 安生 |
| 作者单位： | [1]北京有色金属研究总院 [2]清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 采用定位的横断面透射电子显微术观察Ｐ＾＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构。该器件光敏区由６层Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３６和５层ＵＤ－Ｓｉ层组成，每层都比较平整，各层厚度分别为６ｎｍ和３２ｎｍ，在Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ界面处存在应力场，但未到晶体缺陷，非晶ＳｉＯ２台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层是波浪状的多晶层，光敏区的边界处存在小于 |
| 关 键 词： | 红外探测器 异质结 半导体器件 微结构 |
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