高亮度SrS:Ce,Ga,F薄膜电致发光器件 |
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引用本文: | 卢有祥.高亮度SrS:Ce,Ga,F薄膜电致发光器件[J].光电技术,2002,43(3):72-75. |
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作者姓名: | 卢有祥 |
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摘 要: | 在Ga掺杂的SrS:Ce荧光粉膜中,Ga的作用是良好的助熔剂。当在高于750℃的温度下进行快速退火时,用溅射法制成的SrS:Ce,Ga,F膜的晶型由柱形变的球形。此外,晶体的粒径从50nm扩大到500nm。对在800℃时退火的SrS:Ce,Ga,F薄膜的光致发光测试表明该膜的衰减时间为25ns,这说明了Ce离子有效的地掺入了荧光粉中,因而改进了结晶度,使该荧光粉具有了优良的电致发光性能。在具有1.5μm厚的SrS:Ce,Ga,F的薄膜电致发光器件中,在60Hz下,亮度达到了155cd/m^2。此外,在BaTa2O2上绝缘层和SrS:Ce荧光粉层之间加一SiON膜层,器件可以获得高光效,光效达到e40=1.15lm/W。
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关 键 词: | TFEL荧光粉 掺杂 退火 彩色电致发光荧光粉 粒径 |
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