GaInAsP/InP双异质结激光器及其集成化所需要的制作技术

为了获得集成的Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP激光器,研究了液相外延和湿法化学腐蚀技术。实现了在沟道的(100)InP衬底上GaInAsP层的选择性生长。发现了一种新的化学腐蚀剂,用它腐蚀InP和GaInAsP时,能得到平滑的表面和垂直的断面。利用这种腐蚀技术,制作了断面和条形结构。研究了同质隔离条形(HIS)双异质结激光器。在1.22μm室温振荡波长附近,测得激射波长的色散为±1.2％。还测量了温度与复合寿命τ_s的依赖关系,当温度变化时,发现τ_s∝1/J_(th)~(1/2)。