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| H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究 | |
| 作者姓名： | 张降洪 宋马成 |
| 作者单位： | 电子十三所!GaAsASIC重点实验室，石家庄050051，电子十三所!GaAsASIC重点实验室，石家庄050051 |
| 摘 要： | 详细介绍了Φ３ 英寸ＧａＡｓ离子注入掺杂材料的制备结果 |
| 关 键 词： | GaAs片 离子注入 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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