| 大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 周勇,孙迎波,周勋,刘万清,杨晓波. 大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长[J]. 半导体光电, 2013, 34(2): 221-225 |
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| 作者姓名： | 周勇 孙迎波 周勋 刘万清 杨晓波 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。
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| 关 键 词： | InGaAs/GaAs 大应变 微带超晶格结构 量子阱红外探测器 MOCVD |
| 收稿时间： | 2012-09-21 |
Growth of Highly Strained InGaAs/GaAs/AlGaAs Mini-band Supper-lattices for Middle Wavelength Infrared QWIP Detectors |
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| ZHOU Yong,SUN Yingbo,ZHOU Xun,LIU Wanqing and YANG Xiaobo. Growth of Highly Strained InGaAs/GaAs/AlGaAs Mini-band Supper-lattices for Middle Wavelength Infrared QWIP Detectors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2013, 34(2): 221-225 |
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| Authors: | ZHOU Yong SUN Yingbo ZHOU Xun LIU Wanqing YANG Xiaobo |
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| Affiliation: | Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs/GaAs highly strained mini-band supper-lattices QWIP MOCVD |
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