PT/P(VDF-TrFE)/多孔氧化硅衬底热释电传感器研制

用电化学方法制备多孔化率约６９％的多孔硅，在湿氧中氧化成多孔氧化硅，作热释电传感器的衬底。将用溶胶凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯／三氟乙烯共聚物中形成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦＴｒＦＥ）热释电复合敏感膜。ＰＴ粉粒的掺入体积比为０１２时，与成膜条件相同的Ｐ（ＶＤＦＴｒＦＥ）膜相比，热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％。多孔氧化硅结构降低了衬底的热导率和元件热容，使多孔硅衬底传感器的电流灵敏度比结构相同的体硅衬底传感器样品高约２倍。