| 生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响 |
| |
| 引用本文： | 支壮志,李炳生,刘益春,吕有明,申德振,张吉英,孔祥贵,范希武. 生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2002, 22(1): 81-84 |
| |
| 作者姓名： | 支壮志 李炳生 刘益春 吕有明 申德振 张吉英 孔祥贵 范希武 |
| |
| 作者单位： | 1. 东北师范大学物理系,长春,130024
2. 中国科学院激发态物理开放实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021 |
| |
| 摘 要： | 以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 等离子增强化学气相沉积 二乙基锌 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)01-0081-04 |
| 修稿时间： | 2001-05-14 |
Influence of Substrate Temperature on ZnO Film Growth by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
| |
| Zhi Zhuangzhi. Influence of Substrate Temperature on ZnO Film Growth by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2002, 22(1): 81-84 |
| |
| Authors: | Zhi Zhuangzhi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO thin film Plasma enhanced chemical vapor deposition Diethylzinc |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
