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改进的CMOS电荷灵敏前放噪声优化设计方法
引用本文:邓智,刘以农,程建平,康克军.改进的CMOS电荷灵敏前放噪声优化设计方法[J].核电子学与探测技术,2006,26(6):801-804.
作者姓名:邓智  刘以农  程建平  康克军
作者单位:清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084
摘    要:CMOS专用集成电荷灵敏前放的噪声性能对于辐射探测非常关键.提出了一种改进的CMOS电荷灵敏前放低噪声设计方法,通过实例计算得到的噪声结果比现有方法都有不同程度的提高.

关 键 词:电荷灵敏前置放大器  CMOS专用集成电路  低噪声设计
文章编号:0258-0934(2006)06-0801-04
修稿时间:2005年7月9日

A modified design method of noise optimization for CMOS charge sensitive preamplifier
DENG Zhi,LIU Yi-nong,CHENG Jian-ping,KANG Ke-jun.A modified design method of noise optimization for CMOS charge sensitive preamplifier[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2006,26(6):801-804.
Authors:DENG Zhi  LIU Yi-nong  CHENG Jian-ping  KANG Ke-jun
Abstract:Noise of CMOS charge sensitive preamplifier ASIC is a critical factor for radiation detection.A modified low noise design method of CMOS charge sensitive preamplifier was proposed in this paper.It is shown in a design example that the noise performance optimized by this method is more or less better than other methods currently used.
Keywords:charge sensitive preamplifier  CMOS ASIC  low noise design
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