| 一种低电压高精度CMOS基准电流源设计新技术 |
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| 引用本文： | 胡学骏,赵慧民. 一种低电压高精度CMOS基准电流源设计新技术[J]. 电视技术, 2005, 0(2): 36-38 |
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| 作者姓名： | 胡学骏 赵慧民 |
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| 作者单位： | 佛山科学技术学院,机电与信息工程学院,广东,佛山,528000 |
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| 摘 要： | 介绍一种新的在0.25μm混合模拟工艺电路中使用没有任何外围元件的基准电流源设计电路。该电路基于一个带隙电压基准源(BandgapReference,BGR)和一个类似β乘法器的CMOS电路。其中β乘法器中的电阻用NMOS晶体管代替以获得具有负温度系数的基准电流源;同时,BGR电压的正温度系数抵消了β乘法器中负温度系数。使用Bsim3v3模型实验的仿真结果说明-20℃到+100℃温度范围内基准电流源最大波动幅度小于1%,1.4～3V电压范围内片上所有电阻具有±30%的容差。
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| 关 键 词： | 基准电流源 带隙电压基准源 温度系数 CMOS电路 β乘法器 |
| 文章编号： | 1002-8692(2005)02-0036-03 |
| 修稿时间： | 2004-12-15 |
A New Process Technology for Low Voltage Precision CMOS Current Reference |
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| HU Xue-jun,ZHAO Hui-min. A New Process Technology for Low Voltage Precision CMOS Current Reference[J]. Ideo Engineering, 2005, 0(2): 36-38 |
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| Authors: | HU Xue-jun ZHAO Hui-min |
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| Abstract: | |
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