| SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系 |
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| 引用本文： | 严辉,陈光华.SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系[J].材料研究学报,1998,12(3):299-302. |
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| 作者姓名： | 严辉 陈光华 |
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| 作者单位： | 北京工业大学!北京市，100022，北京工业大学 |
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| 基金项目： | 北京市科技新星计划资助 |
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| 摘 要： | 采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。
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| 关 键 词： | MEVVA离子源 离子束合成 注入剂量 碳化硅埋层 |
| 收稿时间： | 1998-06-25 |
| 修稿时间： | 1998-06-25 |
DEPENDENCE OF STRUCTURE OF BURIED SiC LMERS ON C~+ IMPLANTATION DOSE |
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| YAN Hui,CHEN Guanghua.DEPENDENCE OF STRUCTURE OF BURIED SiC LMERS ON C~+ IMPLANTATION DOSE[J].Chinese Journal of Materials Research,1998,12(3):299-302. |
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| Authors: | YAN Hui CHEN Guanghua |
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| Affiliation: | YAN Hui,CHEN Guanghua (Dep. of Applied Physics,Beijing Polytechnic University,Beijing ) |
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| Abstract: | Buried SiC layers of different implantation doses were formed by using a metal vapor vacuum arc (MEVVA) ion source, with C+ ions implanted into Si substrates. In the present study the beam energy was 50keV and the ion dose was varied from 3.0×1017cm-2 to |
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| Keywords: | MEVVA ion source ion beam synthesis buried SiC layers |
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