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| 纳米集成电路用硅基半导体材料 | |
| 作者姓名： | 屠海令 石瑛 肖清华 马通达 |
| 作者单位： | [1]半导体材料国家工程研究中心 [2]北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。 |
| 关 键 词： | 纳米集成电路 硅基半导体材料 绝缘体上硅 锗硅 SiGe SOI 蓝宝石上外延硅 键合硅片 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |